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工研院成功研发更快、更稳、不失忆的新世代记忆体SOT MRAM

admin 科技 2020-09-19 20 0
Sunbet,进入申博Sunbet官网  第1张 工研院研发更快、更稳、不失忆的新世代记忆体SOT MRAM,以8吋标准晶圆制程做出雏形技术,让厂商可在不需更换制程设备量产。

物联网将实体世界资讯数位化,使用可快速读写、低耗电、断电不会遗失资料的MRAM,发展已有10多年,工研院针对缺点,研发更快、更稳、不失忆的新世代记忆体SOT MRAM,

为台湾厂商进入新世代记忆体铺下康庄大道。

工研院电光所组长许世玄指出,MRAM的读写速度是毫微秒等级,比大家所熟知的Flash,速度快了1千倍,目前已成记亿体界的共主,但有个重大缺点有待克服。

许世玄形容MRAM的结构像三明治,两层磁性材料中间,夹上一层厚度只有0.3-0.7奈米的超薄绝缘层,在元件进行读写过程中,电流都会从绝缘层通过,因此每一次读写都会造成绝缘层的小破坏,久而久之影响MRAM的寿命。

工研院2002年即进行MRAM相关研发,为解决上述问题,在经济部技术处科技专案支持下,2014年起投入下一世代SOT MRAM的研发。

研发团队大胆将原本采垂直式的MRAM技术,改换成水平式,在SO TMRAM研发过程中,面临不少挑战,像元件中有金属薄层,制程很难控制,蚀刻位置一旦有错,整个晶片就报销了。

研发团队因此在元件架构设计上花费心思,困难蚀刻点避免摆放元件,即使蚀刻过程出现误差,也不会影响良率,顺利开发的SOT MRAM在写入资料时,电流不会经过绝缘层,少了主要耗损因素,可靠度因此大幅提高。

工研院经过4年努力,取得SOT MRAM结构设计的专利,并建立出SOT MRAM元件制程平台、设计平台,并以8吋标准晶圆制程做出雏形技术,让厂商可在不需更换制程设备下,就能量产SOT MRAM,大大降低产业进入门槛,更为未来台厂进入新世代记忆体铺下康庄大道。

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